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真空生長爐 科研對晶體生長過程

所屬分類:晶體爐

產品型號:KZJT-25-21

更新時間:2024-12-13

描述:真空生長爐 科研對晶體生長過程
設備主要用于科研對晶體生長過程的探索,可用于制備氧化物單晶和金屬單晶晶體制備,如藍寶石、GGG,YAG,LaAlO3,Si和Ge等

詳細信息

·真空生長爐 科研對晶體生長過程 設備用途

  設備主要用于科研對晶體生長過程,可用于制備氧化物單晶和金屬單晶晶體制備,如藍寶石、GGG,YAG,LaAlO3,Si和Ge等

·真空生長爐 科研對晶體生長過程  產品特點

1·模塊化設計,結構緊湊,外形美觀,

2·采用側部開門,結構精巧,方便,移動平穩(wěn)裝卸料方便

3· 采用觸摸屏+plc控制方式,自動化程度高,操作直觀,功能強大。

4· 在觸摸屏內可預存幾十種燒結工藝,一次編輯,以后直接調用使用,省去多次編輯工藝的麻煩,避免輸入錯誤,燒壞產品。

5· 燒結的溫度,真空度,等數據可實時記錄,也可隨時啟動停止記錄,減少無用數據,數據可查詢,可導出下載。

6· 燒結溫度高,用石墨坩堝,最高可達2100℃,

·設備參數

1·設備總功率:35Kw;電源電壓:3相380V,50Hz

2·最高溫度:2100 加熱功率 25Kw 三相380V 30-80KHz 高頻感應加熱

3·額定溫度:室溫~2100℃

4. 感應線圈尺寸:Ф90×100mm(直徑×高, 中間設置保溫層坩堝底放置線圈內部,防止底部材料固化。

6·腔體尺寸臥式Ф400Ф500mm暫定)

7.測溫系統(tǒng): 在坩堝側部設計測溫孔 配置紅外測溫儀和歐陸程序儀表

9. 提拉速度:              慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)

10. 提拉桿旋轉速度0.1-25r/min

11. 提拉桿升降快速速度:35mm/min

12. 提拉行程:300mm

13. 爐內充氣壓力:≤0.03MPa

14. 冷態(tài)極限真空度:6.7*10-4pa(配置真空計,真空規(guī)管配置油陶瓷防腐涂層)



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